参数资料
型号: MMBD6100LT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 121K
描述: DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23
产品目录绘图: Rectifier SOT-23, SOT-23S
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 50V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 70V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1569 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MMBD6100LT1GOSDKR
MMBD6100LT1G
http://onsemi.com
2
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
CURVES APPLICABLE TO EACH CATHODE
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0.001
0
I
1.0
0.1
0.01
10 20 30 40 50
I
1.0 1.2
0.2 0.4 0.6 0.8
Figure 4. Capacitance
, FORWARD CURRENT (mA)
F
TA
= 85
°C
TA
= -40
°C
TA
= 25
°C
, REVERSE CURRENT ( A)
R
TA
= 25
°C
TA
= 55
°C
TA
= 85
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
1.0
0.60
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.9
0.8
0.7
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
2468
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