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参数资料
| 型号： | MMBD7000LT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | MMBD7000LT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD7000S62Z | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD701L99Z | SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBD770WST/R7 | 0.25 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD914TGT/R7 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD914TG | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD7000LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD7000T | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD7000-T1 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| MMBD7000-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD7000-V | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode, Dual |
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