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参数资料
| 型号： | MMBD7000LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL 100V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/May/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBD7000LT3GOSDKR |
MMBD7000LT1G, SMMBD7000LT1G, MMBD7000LT3G, SMMBD7000LT3G
http://onsemi.com
3
CURVES APPLICABLE TO EACH DIODE
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0.001
0
I
1.0
0.1
0.01
10 20 30 40 50
I
1.0 1.2
0.2 0.4 0.6 0.8
Figure 4. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
C
0.68
0.64
0.60
0.52
0.56
2.0 4.0 6.0 8.0
, FORWARD CURRENT (mA)
F
TA
= 85
?C
TA
= -40
?C
TA
= 25
?C
, REVERSE CURRENT ( A)
R
, DIODE CAPACITANCE (pF)
D
TA
= 25
?C
TA
= 55
?C
TA
= 85
?C
TA
= 150
?C
TA
= 125
?C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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