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参数资料
| 型号： | MMBF0201NLT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 300mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBF0201NLT1OSCT |
MMBF0201NL, MVMBF0201NL
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.8
100
1.6
V GS = 10 V @ 300 mA
80
1.4
60
1.2
V GS = 4.5 V @ 100 mA
40
C iss
1.0
0.8
20
C oss
C rss
0.6
-50
-25
0 25 50
75
100
125
150
0
0
5 10 15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. On ? Resistance versus
Junction Temperature
10
1.0
0.1
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Capacitance
0.01
125 ° C
25 ° C
- 55 ° C
0.001
0
0.3 0.6
0.9 1.2
1.4
SOURCE-TO-DRAIN FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Source ? to ? Drain Forward Voltage
versus Continuous Current (I S )
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF0201NLT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N−Channel SOT−23 |
| MMBF0201NLT1G | 功能描述:MOSFET 20V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF0201NLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 300mA SOT-23 |
| MMBF0201NLT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MMBF Series N-Channel 20 V 1 Ohm 225 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-23 |
| MMBF0202PLT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts |
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