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参数资料
| 型号： | MMBF0201NLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 300mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMBF0201NLT1GOSDKR |
MMBF0201NL, MVMBF0201NL
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.0
1.0
V GS = 5 V
0.8
0.6
0.8
0.6
V GS = 4 V
V GS = 10, 9, 8, 7, 6 V
0.4
125 ° C
0.4
0.2
25 ° C
- 55 ° C
0.2
V GS = 3 V
0
0
1 2 3 4
5
6
0
0
0.3 0.6 0.9 1.2
1.4
1.5
1.2
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Transfer Characteristics
2.4
2.0
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On ? Region Characteristics
0.9
0.6
0.3
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1.5
1.0
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
5 10
15
20
16
14
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
1.10
1.05
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
12
10
8
6
V DS = 16 V
I D = 300 mA
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
I D = 250 m A
0.75
4
2
0.70
0.65
0
0
160
450
2000
3400
0.60
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q g , TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 5. Gate Charge
http://onsemi.com
3
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Threshold Voltage Variance
Over Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMS-30PC-0-BS-C | DPM LED MINI 200MVDC 3.5DIG BLU |
| ACM20-4-AC1-R-C | AC PWR METER 100A PWR FACTR READ |
| DMS-20PC-1-LM-B-C | DPM LED 85-264VAC 3DIGIT BLUE |
| DMS-20PC-1-LM-BF-C | DPM LED 120VAC PLUG-IN 3DIG BLUE |
| DMS-30DR-0-R-C | DPM LED 200MV 3.5DIG DAYLIGHT RD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF0201NLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 300mA SOT-23 |
| MMBF0201NLT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MMBF Series N-Channel 20 V 1 Ohm 225 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-23 |
| MMBF0202PLT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts |
| MMBF102 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-CHANNEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF102LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
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