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参数资料
| 型号： | MMBF5460D87Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MMBF5460D87Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF5460L99Z | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MJE2801T | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MH7302 | 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| MPSA65 | 300 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS9630 | 100 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF5460LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF5460LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET - General Purpose Transistor P-Channel |
| MMBF5460LT1G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF5460LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:JFET Transistor |
| MMBF5461 | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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