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参数资料
| 型号： | MMBF5460L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | MMBF5460L99Z |
5
Typical Characteristics (continued)
Noise Voltage vs. Frequency
Capacitance vs. Voltage
Output Conductance vs.
Drain Current
Transconductance vs.
Drain Current
Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE ( C)
P
-
POWER
DISSIPATION
(mW)
D
SOT-23
TO-92
P-Channel General Purpose Amplifier
(continued)
2N5460
/
5461
/
5462
/
MMBF5460
/
MMBF5461
/
MMBF5462
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2369A/D26Z-5 | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPS3710TRA | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3396TRC | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6523TRC | 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS3704TRG | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF5460LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF5460LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET - General Purpose Transistor P-Channel |
| MMBF5460LT1G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF5460LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:JFET Transistor |
| MMBF5461 | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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