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参数资料
| 型号： | MMBFJ310 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 207K |
| 描述： | IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Transistor SOT-23-3 Package |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 450MHz |
| 增益： | 12dB |
| 电压 - 测试： | 10V |
| 额定电流： | 60mA |
| 噪音数据： | 3dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 25V |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBFJ310DKR |
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ3
10 — N-Channel
RF Amplifier
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310 Rev. A1 1
December 2010
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310
N-Channel RF Amplifier
Features
? This device is designed for VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer applications.
? As a common gate amplifier, 16 dB at 100 MHz and 12 dB at 450 MHz can be realized.
? Sourced from Process 92.
? Source & Drain are interchangeable.
Absolute Maximum Ratings * Ta
= 25
°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle
operations.
Thermal Characteristics Ta
= 25
°C unless otherwise noted
* Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06".
Symbol Parameter Value Units
VDS
Drain-Source Voltage 25 V
VGS
Gate-Source Voltage -25 V
IGF
Forward Gate Current 10 mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction
Temperature Range - 55 to +150
°C
Symbol Parameter
Max.
Units
J309-J310 *MMBFJ309-310
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
625
5.0
350
2.8
mW
mW/°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case 127
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357 556
°C/W
J309
MMBFJ309
SOT-23
Mark MMBFJ309 : 6U
G
D
S
J310
MMBFJ310
MMBFJ310 : 6T
GS
D
TO-92
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBV3401LT1 | DIODE TUNING SS 35V SOT23 |
| MMBV3700LT1G | DIODE TUNING SS 200V SOT23 |
| MMDL101T1 | DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD-323 |
| MMDL301T1 | DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323 |
| MMVL3401T1 | DIODE PIN SWITCHING 35V SOD-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBFJ310_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier |
| MMBFJ310_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBFJ310L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor |
| MMBFJ310LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ310LT1G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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