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参数资料
| 型号： | MMBFJ310LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 108K |
| 描述： | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 60mA |
| 电压 - 额定： | 25V |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBFJ310LT1OSCT |
MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ309L, SMMBFJ310L
http://onsemi.com
3
70
60
50
40
30
20
, SATURATION DRAIN CURRENT (mA)
-5.0 -4.0 -3.0 -2.0
-1.0 0
0
ID
- V
GS, GATE-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
DSS
10
70
60
50
40
30
20
10
, DRAIN CURRENT (mA)
I
D
IDSS
- V
GS, GATE-SOURCE CUTOFF VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Drain Current and Transfer
Characteristics versus Gate?Source Voltage
VDS
= 10 V
IDSS
+°C
TA
= -
°C
+°C
+°C
-°C
+150°C
+150°C
ID, DRAIN CURRENT (mA)
100 k
10 k
1.0 k
100
0.01 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
1.0 k
100
10
1.0
, FORWARD TRANSCONDUCTANCE ( mhos)
Y
fs
μ
, OUTPUT ADMITTANCE ( mhos)
Y
os
μ
VGS(off)
= -
VGS(off)
= -
Figure 2. Common?Source Output
Admittance and Forward Transconductance
versus Drain Current
Yfs
Yfs
Yos
VGS, GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 00
6.0
7.0
8.0
9.0
10
CAPACITANCE (pF)
10
7.0
4.0
1.0
0
120
96
72
48
24
, ON RESISTANCE (OHMS)
R
DS
RDS
Cgs
Cgd
Figure 3. On Resistance and Junction
Capacitance versus Gate?Source Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| E2011P-BA | SW TOGGLE SPST 3A BK CAP STR PC |
| E2011-BA | SW TOGGLE SPST 3A BK CAP SLD |
| E2011-BC | SW TOGGLE SPST 3A RED CAP SLD |
| E2012-BA | SW TOGGLE SPDT 3A BK CAP SLD |
| MMBFJ309LT1 | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBFJ310LT1G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ310LT3 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ310LT3G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFU310L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET Transistor |
| MMBFU310LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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