参数资料
型号: MMBFJ310LT1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 108K
描述: JFET SS N-CHAN 25V SOT23
产品变化通告: Product Discontinuation 27/Jun/2007
标准包装: 10
晶体管类型: N 通道 JFET
额定电流: 60mA
电压 - 额定: 25V
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MMBFJ310LT1OSCT
MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ309L, SMMBFJ310L
http://onsemi.com
4
|Y
11
|, |Y
21
|, |Y
22
| (mmhos)
Y
12
(mmhos)
30
24
18
12
6.0
0100 200 300 500 700
1000
f, FREQUENCY (MHz)
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
|S21|, |S11|
0.85
0.45
0.79
0.39
0.73
0.33
0.67
0.27
0.61
0.21
0.55
0.15100 200 300 500 700
|S12|, |S22|
0.060
1.00
0.048
0.98
0.036
0.96
0.024
0.94
0.012
0.92
0.90
1000
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Common?Gate Y Parameter
Magnitude versus Frequency
Figure 5. Common?Gate S Parameter
Magnitude versus Frequency
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
Y11
Y21
Y22
Y12
S22
S21
S11
S12
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
f, FREQUENCY (MHz)
21, 11
50°
40°
30°
20°
10°
0°100 200 300 500 700
180°
170°
160°
150°
140°
130°
12, 22
-0°
84°
83°
1000-°
82°
87°
86°
85°
Figure 6. Common?Gate Y Parameter
Phase?Angle versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
11, 12
°
120°
°
100°
80°
60°
40°
20100 200 300 500 700°
-
-
21, 22
0
1000
Figure 7. S Parameter Phase?Angle
versus Frequency
22
21
12
11
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
11
21
22
21
11
12
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
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MMBFJ309LT1 JFET SS N-CHAN 25V SOT23
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参数描述
MMBFJ310LT1G 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
MMBFJ310LT3 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
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MMBFU310L 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET Transistor
MMBFU310LT1 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel