- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95963 > MMBT2369AL99Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT2369AL99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | MMBT2369AL99Z |
PN2369A
/
MMBT2369A
/
MMPQ2369
DC Typical Characteristics
NPN Switching Transistor
(continued)
DC Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
100
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
D
C
U
R
EN
T
G
A
IN
FE
C
V
= 1V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P21
0.1
1
10
100
500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITT
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
S
A
T
- 40 C
25 °C
C
ββ = 10
125 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P21
0.1
1
10
100
300
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
ββ = 10
- 40 C
25 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P21
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
B
E(O
N
)
C
V
= 1V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
1
10
100
600
T - AMBIENT TEMP ERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
CT
O
R
CU
RRE
N
T
(n
A
)
A
V
= 20V
CB
CBO
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ2369D84Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2369L86Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2369S62Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369AS62Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369ALT3 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2369ALT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369ALT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369ALT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369ALT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。