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参数资料
| 型号： | MMBT2369AL99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | MMBT2369AL99Z |
PN2369A
/
MMBT2369A
/
MMPQ2369
AC Typical Characteristics (continued)
Test Circuits
0
- 10
V
IN
V
IN
0.1
F
'A'
500
890
0.1
F
1 K
+6V
V
OUT
0
- 4V
10%
V
OUT
t
s
t
off
10%
90%
V
OUT
V
IN
0
V
OUT
10% Pulse waveform
at point ' A'
t
off
V
BB
= 12 V
V
IN
= - 20.9 V
V
IN
V
OUT
10%
90%
V
IN
0
t
on
t
on
V
BB
= - 3.0 V
V
IN
= + 15.25 V
To sampling oscilloscope
input impedance = 50
Rise Time
≤ 1 ns
Pulse generator
V
IN Rise Time
< 1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥ 300 ns
Duty Cycle
< 2%
0.0023
F
0.0023
F
0.0023
F
0.0023
F
10
F
10
F
++
11 V
10 V
500
91
0.05
F
0.05
F
0.1
F
0.1
F
3.3 K
50
3.3 K
220
50
V
CC
= 3.0 V
V
BB
Pulse generator
V
IN Rise Time
< 1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥ 300 ns
Duty Cycle
< 2%
56
FIGURE 1: Charge Storage Time Measurement Circuit
FIGURE 2: t
ON
, t
OFF
Measurement Circuit
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(
W
)
D
o
SOT-223
SOT-23
TO-92
NPN Switching Transistor
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ2369D84Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2369L86Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2369S62Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369AS62Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369ALT3 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2369ALT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369ALT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369ALT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369ALT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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