型号: | MMBT2907A-AL3-R |
厂商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | SOT-323, 3 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 246K |
代理商: | MMBT2907A-AL3-R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBT2907AL | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT2907L | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT2907ARF | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907AT-13 | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907AWT/R13 | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBT2907A-D87Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MMBT2907A Series 60 V 800 mA SMT PNP General Purpose Amplifier - SOT-23-3 |
MMBT2907ADW1T1 | 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:Dual General Purpose Transistor |
MMBT2907AE | 制造商:JIANGSU 制造商全称:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR |
MMBT2907A-G | 功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
MMBT2907AGH | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon |