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参数资料
| 型号： | MMBT2907A-AL3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-323, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | MMBT2907A-AL3-R |
MMBT2907A
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 6
www.unisonic.com.tw
QW-R220-001.D
TYPICAL CHARACTERISTICS
-0.1
-1
-10
-100 -300
200
0
Collector Current, IC (mA)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
DC
C
urr
ent
Gain,
h
FE
-0.1
100
-0.4
-100
-1
-10
-500
Collector Emitter Saturation Voltage
vs Collector Current
C
ollector
Emitter
Voltage,
V
CE
(SA
T
)(V)
-0.3
-3
-30
300
400
500
125°С
25°С
-0.5
Collector Current, IC (mA)
-40°С
β=10
VCE =-5V
-40°С
0
-0.2
125°С
25°С
-0.4
-0.8
-100
-1
-10
-500
Base Emitter Saturation Voltage
vs Collector Current
Base
Emitte
rVoltage,
V
BE(S
A
T)
(V)
-0.6
-1
Collector Current, IC (mA)
β=10
-0.4
-0.8
-10
-0.1
-1
-25
Base Emitter on Voltage
vs Collector Current
Base
Emitter
on
Voltage,
V
BE(O
N
)(V)
-0.6
-1
Collector Current, IC (mA)
-0.2
0
25°С
-40°С
125°С
0
VCE =-5V
125°С
25°С
-40°С
Ambient Temperature, Ta(°С)
Collector Cutoff Current vs
Ambient Temperature
C
ol
le
ct
o
r
C
ur
re
n
t,
I C
BO
(n
A
)
-0.1
75
25
50
100
125
-100
-1
-10
VCB=-35V
0.1
110
-50
12
4
Reverse Bias Voltage (V)
Input And Output Capacitance vs
Reverse Bias Voltage
Capa
citance
(p
F)
8
16
20
Cob
0.01
0
Cte
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2907AL | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2907L | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2907ARF | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2907AT-13 | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2907AWT/R13 | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2907A-D87Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MMBT2907A Series 60 V 800 mA SMT PNP General Purpose Amplifier - SOT-23-3 |
| MMBT2907ADW1T1 | 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:Dual General Purpose Transistor |
| MMBT2907AE | 制造商:JIANGSU 制造商全称:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR |
| MMBT2907A-G | 功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MMBT2907AGH | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon |
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