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参数资料
| 型号： | MMBT2907A-GS18 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MMBT2907A-GS18 |
MMBT2907A
Document Number 85143
Rev. 1.2, 27-Oct-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
3
2
E
B
C
3
1
2
18978
Small Signal Transistor (PNP)
Features
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switch-
ing and amplifier applications.
Mechanical Data
Case: SOT-23 Plastic case
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging Codes/Options:
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Parts Table
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
1) FR-5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2) Alumina Substrate = 0.4 x 0.3 x 0.024 x in. 99.5 % alumina.
Maximum Thermal Resistance
Part
Ordering code
Marking
Remarks
MMBT2907A
MMBT2907A-GS18 or MMBT2907A-GS08
2F
Tape and Reel
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Collector - base voltage
- VCBO
60
V
Collector - emitter voltage
- VCEO
60
V
Emitter - base voltage
- VEBO
5.0
V
Collector current
- IC
600
mA
Power dissipation1)
TA = 25 °C
Ptot
225
mW
Derate above 25 °C
Ptot
1.8
mW/°C
Power dissipation2)
TA = 25 °C
Ptot
300
mW
Derate above 25 °C
Ptot
2.4
mW/°C
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air FR-5 board
RthJA
556
°C/W
Thermal resistance junction to
ambient air alumina substrate
RthJA
417
°C/W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
TS
- 55 to + 150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2907ALT1 | |
| MMBT2907A | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2907LT1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904-T1 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904LT1 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2907A-HF | 功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MMBT2907AK | 功能描述:两极晶体管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2907AL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP Silicon |
| MMBT2907AL-AE3-6-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| MMBT2907AL-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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