型号: | MMBT2907AL-AE3-R |
厂商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | LEAD FREE PACKAGE-3 |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 246K |
代理商: | MMBT2907AL-AE3-R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBT2907AL-AL3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907A-AE3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907A-AL3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907AL | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT2907L | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBT2907AL-AL3-6-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
MMBT2907AL-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
MMBT2907ALT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2907ALT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2907ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |