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参数资料
| 型号： | MMBT3904T/R7 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | MMBT3904T/R7 |
PAGE . 3
REV.0.1-OCT.21.2008
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
0
50
100
150
200
250
300
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I C (mA)
hF
E
TJ = 25 C
TJ = 100 C
TJ = 150 C
VCE = 1V
0.000
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, IC (mA)
V
BE
(
V)
TJ = 25 C
TJ = 100 C
TJ = 150
VCE = 1V
0.1
1.0
0.01
0.1
1
10
100
Collector Current, I C (mA)
V
BE
(s
a
t)
(V
)
TJ = 25 C
TJ = 150 C
IC/IB = 10
TJ = 100 C
0.010
0.100
1.000
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I C (mA)
V
CE
(sa
t)
(
V
)
TJ = 25 C
TJ = 150 C
IC/IB = 10
1
10
0.1
1
10
100
Reverse Voltage, VR (V)
C
a
pa
ci
ta
n
c
e
(pF
)
COB (CB)
CIB (EB)
TJ = 25 C
Fig. 1. Typical hFE vs Collector Current
Fig. 2. Typical VBE vs Collector Current
Fig. 3. Typical VCE (sat) vs Collector Current
Fig. 4. Typical VBE (sat) vs Collector Current
Fig. 5. Typical Capacitances vs Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MMBT3904T/R13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMBT3904T/R | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R_NL | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT3904T-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904TT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904TT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT3904TT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904TT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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