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参数资料
| 型号： | MMBT3904W |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | MMBT3904W |
PAGE . 1
May 10.2010-REV.00
MMBT3904W
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
40 Volts
150 mWatts
FEATURES
NPN epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage V
CE = 40V
Collector current I
C = 200mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight: 0.0001 ounce, 0.005 gram
Marking: S1A
POWER
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Symbol
Value
Units
Collector - Emitter Voltage
VCEO
40
V
Collector - Base Voltage
VCBO
60
V
Emitter - Base Voltage
VEBO
6.0
V
Collector Current - Continuous
I C
200
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Symbol
Value
Units
Max Power Dissipation (Note 1)
P
TOT
150
mW
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Rθ
JA
830
OC/W
Junction Temperature
T
J
-55 to 150
OC
Storage Temperature
T
STG
-55 to 150
OC
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904WT3 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906WT3 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT3904/E8 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT3904/E9 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT3904W_10 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR |
| MMBT3904WG | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT3904WT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904WT1_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT3904WT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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