参数资料
型号: MMBT3906LT1-TP
厂商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 1/2页
文件大小: 0K
代理商: MMBT3906LT1-TP
相关PDF资料
PDF描述
MMBT3906LT1 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906LT1
MMBT4355L99Z 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4401-13-F 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4401T-13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBT3906LT1XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel
MMBT3906LT3 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3906LT3G 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3906M 制造商:JIANGSU 制造商全称:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR
MMBT3906Q-7-F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BJT,PNP,200MA,40V,MMBT3906,SOT23,AEC-Q - Tape and Reel