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参数资料
| 型号： | MMBT4355L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBT4355L99Z |
PN4355
/
MMBT4355
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
60
V
VCBO
Collector-Base Voltage
60
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
10
V
IC
Collector Current - Continuous
800
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for use as a general purpose amplifier
and switch requiring collector currents to 500 mA. Sourced
from Process 67. See TN4033A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
PN4355
C
B
E
TO-92
MMBT4355
C
B
E
SOT-23
Mark: 81
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN4355
*MMBT4355
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
350
2.8
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
357
°C/W
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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