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参数资料
| 型号： | MMBT4355L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBT4355L99Z |
PN4355
/
MMBT4355
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
OFF CHARACTERISTICS
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining
Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
60
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
60
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
5.0
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 50 V, IE = 0
50
nA
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 5.0 V, VCE = 0
VEB = 4.0 V, IC = 0
10
100
A
nA
Cobo
Output Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
30
pF
Cibo
Input Capacitance
VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz
110
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 50 mA, VCE = 10 V,
f = 100 MHz
1.0
5.0
NF
Noise Figure
IC = 100
A, V
CE = 10 V,
RS = 1.0 k
, f = 1.0 kHz,
BW = 1.0 Hz
1.0
3.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
ton
Turn-On Time
IC = 500 mA, VCC = 500 mA
100
ns
toff
Turn-Off Time
IB1 = IB2 = 50 mA
400
ns
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 1.0%
hFE
DC Current Gain
IC = 100
A, V
CE = 10 V
IC = 1.0mA, VCE = 10 V
IC = 10 mA, VCE = 10 V
IC = 100 mA, VCE = 10 V
IC = 500 mA, VCE = 10 V
60
75
100
75
400
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 150 mA, IB = 15 mA
IC = 500 mA, IB = 50 mA
IC = 1.0 A, IB = 100 mA
0.15
0.50
1.0
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 150 mA, IB = 15 mA
IC = 500 mA, IB = 50 mA
IC = 1.0 A, IB = 100 mA
0.9
1.1
1.2
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 500 mA, VCE = 0.5 V
IC = 1.0 A, VCE = 1.0 V
1.1
1.2
V
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