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参数资料
| 型号： | MMBT4403T-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBT4403T-13 |
DS30273 Rev. 6 - 2
1 of 4
MMBT4403T
www.diodes.com
Diodes Incorporated
MMBT4403T
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary NPN Type Available (MMBT4401T)
Ultra-Small Surface Mount Package
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
VCBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5.0
V
Collector Current - Continuous (Note 1)
IC
-600
mA
Power Dissipation (Note 1)
Pd
150
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
RqJA
833
°C/W
Operating and Storage and Temperature Range
Tj,TSTG
-55 to +150
°C
Features
Maximum Ratings
@ TA = 25
°C unless otherwise specified
A
M
J
L
D
B
N
C
H
K
G
TOP VIEW
C
E
B
Mechanical Data
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
Case: SOT-523
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering
Information, Note 5, on Page 2
Terminal Connections: See Diagram
Marking (See Page 2): 2T
Ordering & Date Code Information: See Page 2
Weight: 0.002 grams (approx.)
SOT-523
Dim
Min
Max
Typ
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
a
0
°
8
°
All Dimensions in mm
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
2. No purposefully added lead.
E
B
C
SPICE MODEL: MMBT4403T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBT5401LT1 | |
| MMBT5551S62Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551L99Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT4403T-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT -40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403T-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403WT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403WT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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