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参数资料
| 型号： | MMBT3906WT/R7 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBT3906WT/R7 |
PAGE . 2
May 12.2010-REV.00
MMBT3906W
Pa r a m e te r
S ym b o l
Te s t C o nd it io n
M IN.
TYP.
M AX.
Unit s
C o lle c t o r - E m i t t e r B r eak down Vo ltage
V (B R)C E O
IC = - 1 .0 m A , IB = 0
- 4 0
-
V
C o lle c t o r - B a s e B r eak down Vo lt age
V (B R)C B O
IC = - 10uA , IE = 0
- 4 0
-
V
E m i tt e r - B a se B r eak down Vo lt age
V (B R)EBO
IE = - 1 0 uA, IC = 0
- 5 .0
-
V
B a s e Cuto f f Cur r e nt
IBL
V C E = - 30V, V E B = - 3 .0 V
-
- 50
nA
Co lle c t o r Cut o ff C ur r e nt
ICE X
V C E = - 30V, V E B = - 3 .0 V
-
- 50
nA
D C C ur r ent G a i n ( Note 2)
h
FE
IC = - 0.1m A , V C E = - 1 .0 V
IC = - 1.0m A , V C E = - 1 .0 V
IC = - 1 0 m A, VC E= - 1 . 0 V
IC = - 5 0 m A, VC E= - 1 . 0 V
IC = - 100m A , V C E =- 1 .0 V
60
80
100
60
30
-
300
-
C o lle c t o r - E m i t t e r S a t ur a t i on Vo ltage ( Not e 2)
V CE (SAT)
IC = - 10m A , IB = - 1. 0m A
IC = - 50m A , IB = - 5 . 0m A
--
-0 .2 5
-0 .4
V
B a se - E m i t te r S a t ur a t i on Vo lt age ( Note 2)
V BE(S AT)
IC = - 10m A , IB = - 1. 0m A
IC = - 50m A , IB = - 5 . 0m A
-0 .6 5
-
-0 .8 5
-0 .9 5
V
C o lle ct or - B a se C a p a c i t a nce
C CB O
VC B= - 5 V, IE = 0 , f= 1 M Hz
-
4 .5
p F
E m i tt e r - B a se C apac i t anc e
C EBO
VEB= - 0 .5 V, IC = 0 , f= 1 M Hz
-
1 0
p F
De la y Ti m e
t d
VC C= - 3 V, V B E = - - 0 . 5 V,
IC = - 10m A , IB = - 1.0m A
--
3 5
ns
Ri s e Ti m e
tr
V C C = - 3 V, V B E = - 0 . 5 V,
IC = - 10m A , IB = - 1.0m A
--
3 5
ns
S t or age Ti m e
t s
V C C = - 3 V, IC = - 10m A
IB 1 = IB 2 = - 1 .0 m A
-
225
ns
F a ll Ti m e
tf
V C C = - 3 V, IC = - 10m A
IB 1 = IB 2 = - 1 .0 m A
--
7 5
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Note 2: Pulse Test: Pulse Width < 300
μs, Duty Cycle < 2.0%.
275
W
10K
W
0
-0 .5 V
300 ns
-10.9V
+3V
D elay and R ise Tim e Equivalent Test C ircuit
<1ns
C *<4pF
S
Storage and Fall Tim e Equivalent Test Circuit
0
+9 .1V
10 to 500us
Duty Cycle ~ 2.0%
- 1 0.9V
< 1ns
0
1N 916
+3V
275
W
10K
W
C *<4pF
S
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
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