型号: | MMBT3906WT/R7 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | MMBT3906WT/R7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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MMBT4403-T1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBT3946DW1T1 | 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:Dual General Purpose Transistors |
MMBT4124 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4124 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V |
MMBT4124_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4124-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |