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参数资料
| 型号： | MMBT4124 |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | MMBT4124 |
DS30105 Rev. B-2
2 of 2
MMBT4124
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
30
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
25
V
IC = 1.0mA, IB = 0
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
5.0
6.0
V
IE = 10
A, IC = 0
Collector Cutoff Current
ICBO
50
nA
VCB = 20V, IE = 0V
Emitter Cutoff Current
IEBO
50
nA
VEB = 3.0V, IC = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DC Current Gain
hFE
120
60
360
IC = 2.0mA, VCE = 1.0V
IC = 50mA, VCE = 1.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
0.30
V
IC = 50mA, IB = 5.0mA
Base- Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
0.95
V
IC = 50mA, IB = 5.0mA
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
Cobo
4.0
pF
VCB = 5.0V, f = 1.0MHz, IE = 0
Input Capacitance
Cibo
8.0
pF
VEB = 0.5V, f = 1.0MHz, IC = 0
Small Signal Current Gain
hfe
120
480
VCE = 1.0V, IC = 2.0mA,
f = 1.0kHz
Current Gain-Bandwidth Product
fT
300
MHz
VCE = 20V, IC = 10mA,
f = 100MHz
Notes:
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
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