- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95967 > MMBT4401G-AE3-R (UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD) 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT4401G-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | MMBT4401G-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT4401
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 6
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-035.F
NPN GENERAL PURPOSE
AMPLIFIER
DESCRIPTION
The UTC MMBT4401 is designed for use as a medium power
amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA.
SOT-323
1
2
3
SOT-23
1
2
3
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT4401-AE3-R
MMBT4401L-AE3-R
MMBT4401G-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MMBT4401-AL3-R
MMBT4401L-AL3-R
MMBT4401G-AL3-R
SOT-323
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4401LT1 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4401LT3 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4401L | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT8099LT1 | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT8599L | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT4401-GS08 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401K | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401LT | 制造商:Motorola 功能描述:4401 MOT N12J6G |
| MMBT4401LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。