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参数资料
| 型号： | MMBT4401G-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | MMBT4401G-AE3-R |
MMBT4401
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 6
www.unisonic.com.tw
QW-R206-035.F
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.1
1
10
100 300
200
0
Collector Current, IC (mA)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
Typica
lPulse
dCu
rren
tGain
,h
FE
0.1
100
0.3
100
110
500
Collector-Emitter Saturation Voltage
vs Collector Current
Collector-Emitter
Voltage,
V
C
ESAT
(V)
0.2
0.3
3
30
300
400
500
VCE =5V
125
25
-40
0.4
Collector Current, IC (mA)
125
25
-40
β=10
C
Base-Emitter
Voltage,
V
BESAT
(V)
Base-Emitter
OnVoltage,
V
BEON
(V
)
Ambient Temperature, TA(℃)
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
500
0.1
75
25
50
100
125
150
100
1
10
VCB=40V
0.1
1
10
100
12
4
Reverse Bias Voltage (V)
Emitter Transition and Output
Capacitance vs Reverse Bias Voltage
8
16
20
f=1MHz
Cte
Cob
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PDF描述 |
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