- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95968 > MMBT5086S62Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT5086S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | MMBT5086S62Z |
2N5086
/
MMBT5086
/
2N5087
/
MMBT5087
Typical Characteristics
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
SE
E
M
IT
TE
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
B
ESA
T
25 °C
- 40 C
125 C
β = 10
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
SE
E
MITTER
ON
VO
L
T
A
GE
(V)
C
BE
ON
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 C
125 C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
50
100
150
200
250
300
350
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
TYPI
CA
L
P
U
L
SED
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
C
FE
125° C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CB
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
COL
L
E
CT
OR
EM
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
GE
(V
)
C
CE
SA
T
β = 10
25 °C
- 40 C
125 C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P62
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
COL
L
E
C
T
O
R
CU
RRE
NT
(
n
A
)
A
CB
O
V
= 40V
CB
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
A
NCE
(pF)
f = 1 MHz
C obo
C ibo
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5086L99Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5087L99Z | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5088L99Z | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5089S62Z | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5088S62Z | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT5087 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5087_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5087LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5087LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5087LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。