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参数资料
| 型号： | MMBT5089D87Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 730K |
| 代理商： | MMBT5089D87Z |
SOT-23 (FS PKG Code 49)
SOT-23 Package Dimensions
September 1998, Rev. A1
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0082
2000 Fairchild Semiconductor International
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA92TRL | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| MMBF5462D87Z | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MMBF5460D87Z | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBT5179_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5210 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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