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参数资料
| 型号： | MMBT5401G-A-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | MMBT5401G-A-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT5401
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-011.F
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
*Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V
*High Current Gain
Lead-free: MMBT5401L
Halogen-free: MMBT5401G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen-Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT5401-x-AE3-R
MMBT5401L-x-AE3-R MMBT5401G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MARKING
2L.
Lead Plating
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBT5401LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5401LT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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