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参数资料
| 型号： | MMBT5401G-A-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | MMBT5401G-A-AE3-R |
MMBT5401
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-011.F
■
TYPICAL CHARACTERICS
Fig.2 DC Current Gain
Collector Current, Ic (mA)
DC
Cu
rrent
Ga
in
,h
FE
10
2
10
1
10
0
10
3
-10
3
-10
2
-10
1
-10
0
-10
-1
VCE=-5V
Fig.3 Base-Emitter on Voltage
Collector
Current,
Ic
(mA)
Base-Emitter Voltage, VBE (V)
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
VCE=-5V
Satura
ti
on
Vo
ltage
,
V
BE(SAT
)
V
C
E
(SAT)
(V)
Fig.4 Saturation Voltage
Fig.5 Current Gain-Bandwidth
Product
Fig.1 Collector Output Capacitance
VCE(SAT)
VBE(SAT)
Ic=10*IB
10
3
Cu
rren
tGain
-Ban
dwi
d
th
Prod
uct,
fT
(MHz)
10
0
10
1
10
2
VCE=-10V
Collector-Base Voltage, VCB (V)
Ca
pa
ci
ta
nce
,C
o
b
(pF
)
-10
0
4
8
12
f=1MHz
IE=0
-10
-1
-10
-2
-10
1
-10
2
16
20
-10
1
-10
2
-10
3
-10
0
Collector Current, Ic (mA)
-10
3
-10
2
-10
1
-10
0
-10
-1
Collector Current, Ic (mA)
-10
3
-10
2
-10
1
-10
0
-10
-1
-10
0
-10
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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