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参数资料
| 型号： | MMBT5550_NL |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | MMBT5550_NL |
2
www.fairchildsemi.com
MMBT5550 Rev. A
MMBT5550
NPN
Gen
e
ra
lPurpose
Amplifier
Electrical Characteristics T
a = 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics T
a=25°C unless otherwise noted
* Device mounted on FR-4 PCB 1.6"
× 1.6" × 0.06."
Package Marking and Ordering Information
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
Small Signal Characteristics
fT
Current Gain Bandwidth Product
IC = 10mA, VCE = 10V,
f = 100MHz
50
MHz
Cobo
Output Capacitance
VCB = 10V, IE = 0, f = 1.0MHz
6.0
pF
Cibo
Input Capacitance
VBE = 0.5V, IC = 0, f = 1.0MHz
30
pF
Symbol
Parameter
Max.
Units
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
2.8
mW
mW/
°C
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
357
°C/W
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
1F
MMBT5550
SOT-23
7”
--
3,000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551-13 | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551-T1 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT589LT3G | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6427S62Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6427L99Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT5551 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23 |
| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| MMBT5551_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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