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参数资料
| 型号： | MMBT5550_NL |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | MMBT5550_NL |
3
www.fairchildsemi.com
MMBT5550 Rev. A
MMBT5550
NPN
Gen
e
ra
lPurpose
Amplifier
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
vs Collector Current
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
vs Collector Current
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
vs Collector Current
Figure 5. Collector Cutoff Current
vs Ambient Temperature
Figure 6. Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltaget
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
250
50
20
5
2
0.5
0.2
-40
oC
25
oC
125
oC
V
CE = 5V
h
FE
-
TYPI
C
AL
PU
L
S
ED
C
U
RRE
NT
G
AIN
I
C - COLLECTOR CURRENT (mA)
110
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
- 40
oC
25
oC
125
oC
β = 10
V
CE
SAT
-
COLLECTOR
EMI
TTER
VOLTAGE
(V)
I
C - COLLECTOR CURRENT (mA)
110
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
200
125
o
C
25
oC
- 40
oC
β = 10
V
BE
SAT
-
BA
SE
EM
ITTER
VOLTAGE
(V)
I
C - COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
- 40
o
C
25
oC
125
oC
V
CE = 5V
V
BE
O
N
-
B
A
SE
EM
ITTE
R
ON
VOL
T
A
G
E
(V
)
I
C - COLLECTOR CURRENT (mA)
25
50
75
100
125
1
10
50
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
LL
E
C
TO
R
C
U
R
E
N
T
(n
A
)
A
CBO
°
V
= 100V
CB
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
V
- COLLECTOR VOLTAGE (V)
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
(
pF)
C
f = 1.0 MHz
CE
C
cb
ib
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PDF描述 |
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