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参数资料
| 型号： | MMBT5551-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | MMBT5551-13 |
DS30061 Rev. 8 - 2
3 of 3
MMBT5551
www.diodes.com
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
T
ION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.15
0.14
0.13
0.12
0.11
0.10
1
10
100
1000
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
=10
T = 150°C
A
T = 25°C
A
T = -50°C
A
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
V= 5V
CE
T = 150°C
A
T= 25°C
A
T = -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
100
h
,
DC
CURRENT
FE
GAIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
V= 5V
CE
T = 150°C
A
T = 25°C
A
T = -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V= 5V
CE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551-T1 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT589LT3G | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6427S62Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6427L99Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6427 | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT5551-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-G | 功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=160V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MMBT5551LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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