- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录182952 > MMBT5551S62Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT5551S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBT5551S62Z |
2N5551
/
MMBT5551
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
160
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
180
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, IC = 0
6.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 120 V, IE = 0,
VCB = 120 V, IE = 0, TA = 100
°C
50
nA
A
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 4.0 V, IC = 0
50
nA
hFE
DC Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 50 mA, VCE = 5.0 V
80
30
250
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.15
0.20
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
1.0
V
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 10 V,
f = 100 MHz
100
300
MHz
Cobo
Output Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0,
f = 1.0 MHz
6.0
pF
Cibo
Input Capacitance
VBE = 0.5 V, IC = 0,
f = 1.0 MHz
20
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 10 V,
f = 1.0 kHz
50
250
NF
Noise Figure
IC = 250
A, VCE = 5.0 V,
RS=1.0 k
, f=10 Hz to 15.7 kHz
8.0
dB
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
Spice Model
NPN (Is=2.511f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=242.6 Ne=1.249 Ise=2.511f Ikf=.3458 Xtb=1.5 Br=3.197 Nc=2
Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=4.883p Mjc=.3047 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=18.79p Mje=.3416 Vje=.75 Tr=1.202n Tf=560p
Itf=50m Vtf=5 Xtf=8 Rb=10)
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551L99Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBT6427LT3 | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT7002W | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMBT9015C | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT5551-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5770 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBT5770_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5771 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/ 15V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。