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参数资料
| 型号： | MMBT5551S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBT5551S62Z |
2N5551
/
MMBT5551
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
P16
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
V
- COLLECTOR VOLTAGE (V)
C
A
P
A
CI
T
A
NC
E
(
p
F
)
C
f = 1.0 MHz
CE
C
cb
ib
Small Signal Current Gain
vs Collector Current
P16
110
50
0
4
8
12
16
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
S
M
A
L
S
IG
N
A
L
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
C
FE
FREG = 20 MHz
V
= 10V
CE
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
TEMPERATURE ( C)
P
-P
O
W
E
R
D
ISSI
P
A
T
IO
N
(m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551L99Z | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBT6427LT3 | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT7002W | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMBT9015C | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBT5551-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5770 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBT5770_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5771 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/ 15V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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