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参数资料
| 型号： | MMBT6428 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | npn型（放大器晶体管） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | MMBT6428 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. Effects of Frequency
f, FREQUENCY (Hz)
7.0
10
20
30
5.0
Figure 3. Effects of Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
3.0
10
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
NOISE VOLTAGE
e
e
I
N
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k
10 k 20 k
50 k 100 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
BANDWIDTH = 1.0 Hz
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
300
μ
A
30
μ
A
RS
≈
0
3.0 mA
1.0 mA
7.0
10
20
30
5.0
3.0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
RS
≈
0
f = 10 Hz
100 Hz
1.0 kHz
10 kHz
100 kHz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
10
μ
A
RS
≈
0
10
7.0
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.1
0.2
0.3
1.0
0.7
0.5
2.0
3.0
5.0
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
0
4.0
8.0
12
16
20
BANDWIDTH = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 1.0 mA
500
μ
A
100
μ
A
10
μ
A
100 Hz NOISE DATA
300
200
100
70
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
V
N
0
4.0
8.0
12
16
20
Figure 6. Total Noise Voltage
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
10
μ
A
10
20
50 100 200
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
IC = 10 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
3.0 mA
1.0 mA
10
μ
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
Figure 7. Noise Figure
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PDF描述 |
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