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参数资料
| 型号： | MMBT6428 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | npn型（放大器晶体管） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | MMBT6428 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
1.0
2.0
3.0
4.0
0.3
0.01
h
0.05
2.0
3.0
10
0.02
0.03
0.2
1.0
0.1
5.0
F
VCE = 5.0 V
TA = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
0.7
0.5
0.5
0.2
0.3
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
Figure 9. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 10. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0.01
0
–0.8
–1.2
–1.6
–2.4
TJ = 25
°
C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
TJ = 25
°
C to 125
°
C
–55
°
C to 25
°
C
R
θ
T
°
–0.4
–2.0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
f
C
8.0
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
TJ = 25
°
C
Ccb
Cob
Ceb
Cib
1.0
2.0
5.0
3.0
7.0
10
20
30
50
70
100
500
300
200
70
50
100
VCE = 5.0 V
TJ = 25
°
C
Figure 11. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MMBTA70LT1 | General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBT6428LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6428LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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