- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378673 > MMBT6428LT1 (ON SEMICONDUCTOR) Amplifier Transistors(NPN Silicon) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT6428LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-18, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | MMBT6428LT1 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 0.01 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
hFE
250
500
250
500
250
500
250
500
—
—
650
1250
—
—
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
(IC = 100 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VCE(sat)
—
—
0.2
0.6
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
0.56
0.66
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
700
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
3.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
8.0
pF
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6428LT1 | Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
| MMBTA70LT1 | General Purpose Transistor |
| MMBTA70 | PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| MMBTA70LT1 | General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
| MMBTA70LT1 | General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT6428LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6429LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6429LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6515 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6515_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。