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参数资料
| 型号： | MMBT6428LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-18, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | MMBT6428LT1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. Effects of Frequency
f, FREQUENCY (Hz)
7.0
10
20
30
5.0
Figure 3. Effects of Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
3.0
10
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
NOISE VOLTAGE
e
e
I
N
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k
10 k 20 k
50 k 100 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
BANDWIDTH = 1.0 Hz
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
300
μ
A
30
μ
A
RS
≈
0
3.0 mA
1.0 mA
7.0
10
20
30
5.0
3.0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
RS
≈
0
f = 10 Hz
100 Hz
1.0 kHz
10 kHz
100 kHz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
10
μ
A
RS
≈
0
10
7.0
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.1
0.2
0.3
1.0
0.7
0.5
2.0
3.0
5.0
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
0
4.0
8.0
12
16
20
BANDWIDTH = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 1.0 mA
500
μ
A
100
μ
A
10
μ
A
100 Hz NOISE DATA
300
200
100
70
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
V
N
0
4.0
8.0
12
16
20
Figure 6. Total Noise Voltage
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
10
μ
A
10
20
50 100 200
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
IC = 10 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
3.0 mA
1.0 mA
10
μ
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
Figure 7. Noise Figure
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6428LT1 | Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
| MMBTA70LT1 | General Purpose Transistor |
| MMBTA70 | PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
| MMBTA70LT1 | General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
| MMBTA70LT1 | General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBT6515 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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