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参数资料
| 型号： | MMBT9013G-G-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | MMBT9013G-G-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT9013
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 3
Copyright 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-021.C
1W OUTPUT AMPLIFIER OF
POTABLE RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION
FEATURES
*High total Power Dissipation. (625mW)
*High Collector Current. (500mA)
*Excellent hFE linearity.
*Complementary to UTC MMBT9012
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT9013-x-AE3-R MMBT9013L-x-AE3-R MMBT9013G-x-AE3-R SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT9013-D-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013-F-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013G-E-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013G-H-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013L-I-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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