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参数资料
| 型号： | MMBT9013G-G-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | MMBT9013G-G-AE3-R |
MMBT9013
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
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www.unisonic.com.tw
QW-R206-021.C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
20
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
500
mA
Collector Dissipation
PC
225
mW
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=100μA, IE =0
40
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=1mA, IB=0
20
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE =100μA, IC=0
5
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
0.16
0.6
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
0.91
1.2
V
Base-Emitter On Voltage
VBE(ON)
VCE =1V, IC=10mA
0.6
0.67
0.7
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=25V, IE =0
100
nA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=3V, IC=0
100
nA
hFE1
VCE=1V, IC=50mA
64
120
300
DC Current Gain
hFE2
VCE=1V, IC=500mA
40
120
CLASSIFICATION OF hFE1
RANK
D
E
F
G
H
I
RANGE
64-91
78-112
96-135
112-166
144-202
190-300
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT9013-D-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013-F-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013G-E-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013G-H-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9013L-I-AE3-R | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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