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参数资料
| 型号： | MMBT9018-I-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | MMBT9018-I-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT9018
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-032.C
AM/FM AMPLIFIER, LOCAL
OSCILLATOR OF FM/VHF
TUNER
FEATURES
* High Current Gain Bandwidth Product
fT=1.1GHz (Typ)
SOT-23
1
2
3
1
2
3
SOT-523
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT9018-x-AE3-R
MMBT9018L-x-AE3-R MMBT9018G-x-AE3-R SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MMBT9018-x-AN3-R MMBT9018L-x-AN3-R MMBT9018G-x-AN3-R SOT-523
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MMBT9018-J-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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