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参数资料
| 型号： | MMBT9018-I-AE3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | MMBT9018-I-AE3-R |
MMBT9018
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-032.C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
15
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
50
mA
SOT-23
225
mW
Collector Power Dissipation
SOT-523
Pc
150
mW
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=100uA, IE=0
30
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=1mA, IB=0
15
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=100uA, Ic=0
5
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=12V, IE=0
50
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1mA
0.5
V
DC Current Gain
hFE
VCE=5V, IC=1mA
28
100
198
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=5mA
700
1100
MHz
Output Capacitance
COB
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
1.3
1.7
pF
CLASSIFICATION of hFE
RANK
D
E
F
G
H
I
J
RANGE
28-45
39-60
54-80
72-108
97-146
132-198
180-265
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT9018L-J-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018-F-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018-J-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018G-E-AN3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9018G-J-AE3-R | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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