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参数资料
| 型号： | MMBT918LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/22页 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | MMBT918LT3 |
2–298
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
15
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
30
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
3.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
50
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board,(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBT918LT1 = M3B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 3.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
15
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
30
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
3.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 15 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBT918LT1
1
2
3
CASE 318 – 08, STYLE 6
SOT– 23 (TO – 236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA13LT3 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA20LT3 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA56D87Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA56D74Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56D27Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 14 LT1 | 功能描述:达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA 42 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 56 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 92 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT PNP 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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