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参数资料
| 型号： | MMBTA13LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/25页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | MMBTA13LT3 |
2–395
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Darlington Amplifier Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCES
30
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
30
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
10
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
300
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBTA13LT1 = 1M; MMBTA14LT1 = 1N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, VBE = 0)
V(BR)CES
30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
1. FR– 5 = 1.0
0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBTA13LT1
MMBTA14LT1
*Motorola Preferred Device
1
2
3
CASE 318 – 08, STYLE 6
SOT– 23 (TO – 236AB)
*
COLLECTOR 3
BASE
1
EMITTER 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA20LT3 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA56D87Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA56D74Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56D27Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56D26Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA13LT3G | 功能描述:达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA13-T | 功能描述:达林顿晶体管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA13-TP | 功能描述:达林顿晶体管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA14 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA14 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor |
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