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参数资料
| 型号： | MMBTA13LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 21/25页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | MMBTA13LT3 |
MMBTA13LT1 MMBTA14LT1
2–399
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 12. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
r(
t),
TRANSIENT
T
H
ERMAL
2.0
5.0
1.0
0.5
0.2
0.1
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
20
50
10
200
500
100
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
Figure 13. Active Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0 k
0.4
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.6
1.0
2.0
4.0
6.0
10
20
40
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
Z
θJC(t) = r(t) RθJC TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)
Z
θJA(t) = r(t) RθJA TJ(pk) – TA = P(pk) ZθJA(t)
1.0 ms
100
s
TC = 25°C
1.0 s
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
tP
PP
t1
1/f
DUTY CYCLE
+ t1 f +
t1
tP
PEAK PULSE POWER = PP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBTA13-TP | 功能描述:达林顿晶体管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA14 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA14 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor |
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