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参数资料
| 型号： | MMBT945G-P-AL3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBT945G-P-AL3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT945
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1of 4
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-094.B
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH FREQUENCY
OSC NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MMBT945 is an audio frequency amplifier high
frequency OSC NPN transistor.
FEATURES
* Collector-Emitter Voltage:
BVCBO=50V
* Collector Current up to 150mA
* High hFE Linearity
* Complimentary to UTC MMBT733
ORDERING INFORMATION
Pin Assignment
Ordering Number
Package
1
2
3
Packing
MMBT945G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MMBT945G-x-AL3-R
SOT-323
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT945G-K-AE3-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT945G-Q-AE3-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA06/E8 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA06/E9 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA06G-AE3-R | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 14 LT1 | 功能描述:达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMBTA 42 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 56 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 92 LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT PNP 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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