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参数资料
| 型号： | MMBTA06/E8 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBTA06/E8 |
MMBTA06
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88228
2
20-Feb-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC = 100
A, IE = 0
80
——
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC = 1mA, IB = 0
80
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE = 100
A, IC = 0
4.0
——
V
Collector-Emitter Cutoff Current
ICES
VCE = 60V, IB = 0
——
100
nA
Collector-Base Cutoff Current
ICBO
VCB = 80V, IE = 0
——
100
nA
Collector Saturation Voltage
VCEsat
IC = 100mA, IB = 10mA
——
0.25
V
Base-Emitter On Voltage
VBE(on)
IC = 100mA, VCE = 1V
——
1.2
V
DC Current Gain
hFE
VCE = 1V, IC = 10mA
100
———
VCE = 1V, IC = 100mA
100
———
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE = 2V, IC = 10mA
100
—
MHz
f = 100MHz
Note:
(1)Device on fiberglass substrate, see layout on next page
0.59 (15)
0.2 (5)
0.03 (0.8)
0.30 (7.5)
0.12 (3)
.04 (1)
0.06 (1.5)
0.20 (5.1)
.08 (2)
.04 (1)
0.47 (12)
Dimensions in inches (millimeters)
Layout for R
θJA test
Thickness: Fiberglass 0.059 in. (1.5 mm)
Copper leads 0.012 in. (0.3 mm)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBTA06LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MMBTA06LT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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