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参数资料
| 型号： | MMBTA20LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 20/26页 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | MMBTA20LT3 |
MMBTA20LT1
2–402
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
Figure 3. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
2.0
10
20
50
100
200
500
1 k
2 k
5 k
10 k
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS = 0
IC = 1.0 mA
100
A
e
n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
I n
,NOISE
CURRENT
(pA)
30
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS ≈∞
10
A
300
A
IC = 1.0 mA
300
A
100
A
30
A
10
A
10
20
50
100
200
500
1 k
2 k
5 k
10 k
NOISE FIGURE CONTOURS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
Figure 5. Narrow Band, 100 Hz
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
500 k
Figure 6. Narrow Band, 1.0 kHz
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
10
2.0 dB
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
Figure 7. Wideband
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
10
10 Hz to 15.7 kHz
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
Noise Figure is defined as:
NF
+ 20 log10
en2 ) 4KTRS ) In
2RS2
4KTRS
1 2
= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
= Boltzman’s Constant (1.38 x 10–23 j/
°K)
= Temperature of the Source Resistance (
°K)
= Source Resistance (Ohms)
en
In
K
T
RS
3.0 dB 4.0 dB
6.0 dB
10 dB
50
100
200
500
1k
10 k
5k
20 k
50 k
100 k
200 k
2k
20
30
50 70 100
200 300
500 700
1 k
10
20
30
50 70 100
200 300
500 700
1 k
500 k
100
200
500
1k
10 k
5k
20 k
50 k
100 k
200 k
2k
1M
500 k
50
100
200
500
1k
10 k
5k
20 k
50 k
100 k
200 k
2k
20
30
50
70
100
200 300
500 700
1 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
8.0 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
8.0 dB
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